Міністерство освіти та науки України Національний університет “Львівська політехніка”
Розрахункова робота№1 з навчальної дисципліни "Електроніка та мікросхемотехніка" Варіант:1, 1, 37 Львів 20111. Розрахунок транзисторного каскаду підсилення в схемі зі спільним емітером 1.1. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі зі спільним емітером за постійним струмом Завдання:1 Таблиця 1 № вар. PН (Вт) RН (кОм) Uвих.m (В) МН (дб) fН (Гц) fВ (кГц) RГ (кОм) TОС (оС)  37 - 4 12 3,5 80 40 2 + 5 ( + 55  
Рис.1. Схема транзисторного каскаду в схемі зі спільним емітером Визначаємо амплітудне значення струму в навантаженні:
; Задаємося значенням струму колектора транзистора в режимі спокою:
; Приймаємо номінальне значення струму спокою колектора транзистора
. Знаходимо мінімальне значення напруги між колектором і емітером транзистора:
де
– напруга насичення транзистора, яка залежить від значення колекторного струму і матеріалу з якого виготовлений транзистор. Переважно напруга насичення для малопотужного транзистора складає
,отже приймаємо, що
, а
. Задаємося спадом напруги на емітерному резисторі

і записуємо вираз для значення напруги живлення підсилювального каскаду:

Звідси отримуємо формулу для напруги живлення підсилювального каскаду:
; (значення напруги живлення приймаємо виходячи з нормалізованого ряду: 5В, 6В, 9В, 10В, 12В, 15В, 18В, 20В, 24В, 27В, 30В, 36В, 40 В, 50В, 60В, …, 100В). Розраховуємо значення емітерного резистора:
; (так, як номінальні значення розрахованих резисторів, переважно, вибираємо згідно з нормалізованого ряду Е24 з допуском
). Розраховуємо значення колекторного резистора:
; Визначаємо струм бази транзистора в режимі спокою:
, (так, як ми обрали кремнієвий транзистор КТ-503, то
). Задаємося струмом базового подільника напруги
і розраховуємо значення опорів резисторів
і
:



,
,
, (
- значення відповідних параметрів кремнієвого транзистора КТ-503 при мінімальній температурі оточуючого середовища). Визначаємо еквівалентний опір базового подільника напруги:
Розраховуємо значення коефіцієнта температурної нестабільності:
; Розраховуємо значення приросту некерованого струму колектора
при зміні температури в заданому діапазоні
. Для кремнієвих транзисторів:
, де

– значення некерованого струму колектора транзистора при певній температурі Т0 (переважно ця температура складає 20о С або 25оС). Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміщення вхідної характеристики транзистора при зміні температури оточуючого середовища
в заданому діапазоні:
; де
– температурний коефіцієнт зміщення вхідної характеристики транзистора, який для германієвих і кремнієвих транзисторів приблизно дорівнює – 2 (мВ/ oC). Розраховуємо значення приросту струму колектора від зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою при зміні температури оточуючого середовища на
:
, де
– температурний коефіцієнт відносної зміни коефіцієнта підсилення транзистора за струмом в схемі з спільною базою, який для малопотужних транзисторів складає 2·10-4 (1/oC). Сумарний приріст колекторного струму при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів при ідеальній термостабілізації:
; Реальний приріст колекторного струму в режимі спокою при зміні температури від дії дестабілізуючих факторів для заданої схеми термостабілізації:
; Цей приріст струму не повинен перевищувати допустимого значення, що дозволяє забезпечити необхідний діапазон вихідної напруги і струму каскаду на навантажені при зміні температури оточуючого середовища в заданому діапазоні. Розрахунок транзисторного каскаду в схемі з спільним емітером за змінним струмом Визначаємо дифузійний опір емітерного переходу транзистора для змінного струму:
де – температурний потенціал (при Тос=20оС
). Дифузійний опір бази :
Визначаємо загальний опір бази транзистора: ...